Os lasers semicondutores foram inventados em 1962 e alcançaram operação de onda contínua com heteroestrutura dupla em 1970, tornando-se a principal fonte de luz para comunicação óptica. O sistema InGaAsP/InP suporta a banda de comunicação de baixa perda de 1300/1550 nm e o MOCVD se tornou a principal tecnologia de fabricação.
Um laser semicondutorconsiste em um meio de ganho e um ressonador Fabry-Perot. A inversão populacional é realizada por injeção de transportador e o laser é gerado por emissão estimulada. O espaçamento do modo longitudinal é determinado pelo comprimento da cavidade, e o bloqueio do modo requer sincronização de fase de vários modos longitudinais
Esquema de um laser de área ampla
Vários projetos de laser usando o sistema de materiais InGaAsP/InP.
O sistema de material InGaAsP/InP é adotado para a banda de comunicação, cobrindo 1300–1600 nm. O crescimento epitaxial do MOCVD atinge uma correspondência de rede de alta precisão, que é o principal esquema de fabricação para lasers comerciais.
A corrente limite aumenta exponencialmente com a temperatura, e a temperatura característica T₀ reflete a estabilidade da temperatura. A modulação de alta velocidade depende de estruturas de baixa capacitância e fortes guiadas por índice.
Os lasers semicondutores apresentam tamanho pequeno e alta confiabilidade, atuando como fonte de luz central para comunicação óptica, fontes de bomba, impressão e detecção, suportando miniaturização e integração de sistemas bloqueados de modo ultrarrápido.
